FQPF10N60C产品图片
一般说明
该产品增强模式功率场效应 晶体管是采用飞兆半导体专有的，平面条形， DMOS技术。 这一先进技术已被特别适合 最大限度地减少通态电阻，提供卓越的开关 性能和承受高能量的脉冲 雪崩和减刑模式。这些器件以及 适合高效率的开关式电源， 有源功率因数校正，电子镇流器 基于半桥拓扑结构。
该产品增强模式功率场效应 晶体管是采用飞兆半导体专有的，平面条形， DMOS技术。 这一先进技术已被特别适合 最大限度地减少通态电阻，提供卓越的开关 性能和承受高能量的脉冲 雪崩和减刑模式。这些器件以及 适合高效率的开关式电源， 有源功率因数校正，电子镇流器 基于半桥拓扑结构。
特征
• 9.5A ， 600V的，的RDS （ on ） = 0.73Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值44北卡罗来纳州）
•低顾客订位系统（典型值18电容）
•快速开关
• 100 ％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
• 9.5A ， 600V的，的RDS （ on ） = 0.73Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值44北卡罗来纳州）
•低顾客订位系统（典型值18电容）
•快速开关
• 100 ％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
有关产品的订购及咨询：
电话：0755-83278427/83614893/15338790961林小姐
传真：0755-83612291
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