IRF1010E
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IRF1010E

来源:www.anxida.com | 发表于:2009年10月19日

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IRF1010产品图片:

IRF1010E

IRF1010 概述

  IR的HEXFET功率场效应管IRF1010采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。

IRF1010这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF1010

成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF1010普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,

使IRF1010得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1010适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,

可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF1010的通孔安装版,适合较低端的应用

IRF1010 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF1010ES、IRF1010NS)
  • 低端通孔安装(IRF1010EL)
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保
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