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来源:www.anxida.com | 发表于:2009年10月23日

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PM150CSD120

特征
    采用新的第四代IGBT芯片平面,而在工作表现的改善1μm的罚款规则的过程。b)使用新的二极管,其目的是让软反向恢复特性为15kHz的开
 
关。•3φ150A,1200伏电流检测IGBT的•单片栅极驱动及保护的逻辑•保护及状态指示电路过流,短路,过温及以下的检测电压(对佛从大腿设备
 
可用)小于30千瓦级的逆变器的应用程序•声学噪声•UL认证黄卡No.E80276(N)的FileNo.E80271
 
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