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IR 品牌系列产品
IR2112STRPBF产品信息
IR2112STRPBF 批号 08+
IR2112STRPBF 数量 3000
IR2112STRPBF 封装 SOP16
IR2112STRPBF 包装
IR2112STRPBF 备注 ORIGINAL & IN STOCK
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特点: 浮动通道设计,引导operatio•全业务至+600器V•耐负瞬时电压通dV / 10至20V•欠压锁定两个通道胸苷免疫•栅极驱动电源电
压范围从3.3•3.3V逻辑兼容独立逻辑电源电压范围V至20V的逻辑和± 5V的电源地抵消•CMOS施密特触发的下拉•逐周期边投入触发关
机逻辑•符合两个通道相位与输入输出传输延迟••也可以无铅.
描述:
IR212是高压 ,高速功率MOSFET和独立的高,低侧IGBT驱动器参考输出通道。专有的HVIC技术,免疫和锁存CMOS启动rugge -
dized单片式结构。逻辑输入是COM - patible与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低
司机跨导。匹配的传播延迟,以简化高频应用。浮动通道可用来驱动高侧的配置,经营高达600伏的N沟道功率MOSFET或IGBT。14引脚
PDIP 16引脚SOIC(宽体)
IR2112STRPBF 图片
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