A6841
的DABiC - 5 8位串行输入锁存灌电流驱动器
的DABiC - 5 8位串行输入锁存灌电流驱动器
特征
.3 V至5 V逻辑电源范围
上电复位( POR )
以10兆赫数据输入速率
CMOS , TTL兼容输入
-40 ℃可运作
低功率CMOS逻辑电路和锁存
施密特触发器的投入以改善噪声免疫力
高压电流灌电流输出
内部电阻pull-up/pull下跌
输出瞬态保护二极管
单或分裂供应业务
上电复位( POR )
以10兆赫数据输入速率
CMOS , TTL兼容输入
-40 ℃可运作
低功率CMOS逻辑电路和锁存
施密特触发器的投入以改善噪声免疫力
高压电流灌电流输出
内部电阻pull-up/pull下跌
输出瞬态保护二极管
单或分裂供应业务

说明
合并低功率CMOS逻辑电路和双极输出功率驱动器使用的专有的DABiC - 5制造工艺允许A6841集成电路可用于各种各样的外围功率驱动器应用。每个器件有一个8位CMOS移位寄存器和CMOS控制电路, 8个CMOS数据锁存, 8双极电流灌电流达林顿输出驱动器。在500毫安, NPN达林顿输出,与积分瞬态抑制二极管,正适合用继电器,螺线管和其他感应载荷。
所有的包装变化的A6841提供优质性能与最低输出击穿电压等级为50五( 35伏特维持) 。所有司机可以操作的分裂供应的负电源是-20五
CMOS输入兼容标准CMOS逻辑水平。 TTL电路可能需要使用适当的上拉电阻。通过使用串行数据输出,司机可级联的接口应用需要额外的驱动器线。
该A6841提供了一个18引脚塑料部(后缀a )和20引脚宽体SOIC封装(后缀长波)改善热特性相比, 18引脚SOIC版本取代( 100 %引脚兼容电) 。这些器件是无铅( Pb ) ,采用100 %雾锡电镀。
功能方框图
合并低功率CMOS逻辑电路和双极输出功率驱动器使用的专有的DABiC - 5制造工艺允许A6841集成电路可用于各种各样的外围功率驱动器应用。每个器件有一个8位CMOS移位寄存器和CMOS控制电路, 8个CMOS数据锁存, 8双极电流灌电流达林顿输出驱动器。在500毫安, NPN达林顿输出,与积分瞬态抑制二极管,正适合用继电器,螺线管和其他感应载荷。
所有的包装变化的A6841提供优质性能与最低输出击穿电压等级为50五( 35伏特维持) 。所有司机可以操作的分裂供应的负电源是-20五
CMOS输入兼容标准CMOS逻辑水平。 TTL电路可能需要使用适当的上拉电阻。通过使用串行数据输出,司机可级联的接口应用需要额外的驱动器线。
该A6841提供了一个18引脚塑料部(后缀a )和20引脚宽体SOIC封装(后缀长波)改善热特性相比, 18引脚SOIC版本取代( 100 %引脚兼容电) 。这些器件是无铅( Pb ) ,采用100 %雾锡电镀。
功能方框图

销售热线: 0755-83278427 83614893
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