SST25VF020-20-4C-SAE 技术文档
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SST25VF020-20-4C-SAE 技术文档

来源:www.anxida.com | 发表于:2010年01月12日

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产品说明:
 
    SST公司的串行闪存系列采用了四线的SPI - COM的patible接口的低引脚数封装占用更少的电路板空间,并最终降低了整体系统成本
 
更      低。 SST25VF020/040 SPI串行闪存备忘录电动机采用制造的SST公司的专利,高perfor -芒斯的CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
 
设计和厚氧化物注射器达到更好的可靠性和可制造性与不同的方法。SST25VF020/040设备的显着提高在工作表现,同时降低功耗。总能量消耗
 
是一种施加电压,当前功能租金及应用的时间。因为对于任何给定的电压范围,超快闪技术的使用较少的电流进行编程和擦除有一个较短的时
 
间,总能量,在任何擦除或编程操作消耗比其他闪存技术少。在SST25VF020/040器件采用单2.7 - 3.6V的供电。SST25VF020器件采用8引脚
 
SOIC 150 mil主体宽度提供(SA)的包。该SST25VF040器件采用8引脚SOIC 200 mil主体宽度(S2A)产品包。所有密度均采用8针接触式WSON
 
封装。见管脚分配图。
 
SST25VF020-20-4C-SAE  图片
 
SST25VF020-20-4C-SAE
 

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