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特征：
采用例如新的第5代IGBT的（硅片）芯片，该芯片的性能是由1μm的罚款规则的过程改进。，典型的Vce（星期六）= @勺=
125℃二）我采用过温保护的为1.9V勺检测硅片的芯片，和错误输出都可以从每个生态保育上，下臂的有害生物综合治理。c）新
的小包装减少10％，22％由S - DASH的系列厚度的封装尺寸。四）电流制动部分评级上升。逆变器的额定电流的部分
53％。•3φ75A条，1200伏的电流型逆变器IGBT的意义•40A条，1200伏的电流检测再生制动•单片式IGBT的栅极驱动及保护的逻辑•
检测，保护和地位显示电路的，短路，过热和欠压（对佛的上臂设备可用）•噪声无11kW/15kW类逆变器的应用。
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