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特征：
采用例如新的第5代IGBT的（硅片）芯片，该芯片的性能是由1μm的罚款规则的过程改进。，典型的Vce（星期六）= @勺=
125℃二）我采用过温保护的为1.9V勺检测硅片的芯片，和错误输出都可以从每个生态保育上，下臂的有害生物综合治理。三）制
动器部件额定电流增加。60部分的逆变器的额定电流％。•3φ25A条，1200伏电流感觉型逆变器•IGBT的，1200伏的电流检测再生
制动•单片式IGBT的栅极驱动及保护的逻辑•检测，保护及状态指示电路的，短路，超过15A条，温度及以下电压（对佛可从上臂设
备）•噪声无级变频3.7kW•UL认证申请黄牌No.E80276（N）的文件No.E80271。
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