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来源:www.anxida.com | 发表于:2010年04月25日

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描述:

    功率MOS 7TM是新一代高电压低损失,N沟道增强型功率MOSFET。这两种传导和开关损耗的处理与功率MOS 7TM大大降低RDS
 
(ON)和Qg和。功率
 
MOS 7TM结合降低传导和开关最大的损失以及异常快速切换输入速度的内在与APT的专利金属闸极结构。•低电容•增加功率消耗•下
 
米勒电容•容易驾驶•降低栅电荷,Qg和•流行的T ™或TO - 264封装。
 
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