供应FQP5N90仙童功率场效应(晶体管)
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供应FQP5N90仙童功率场效应(晶体管)

来源:www.anxida.com | 发表于:2010年09月20日

FQP5N90.PDF

FQP5N90产品信息

FAIRCHILD 品牌系列产品
FQP5N90 批号 09+
FQP5N90 数量 20800
FQP5N90 封装 TO-220
FQP5N90 包装
FQP5N90 备注 Original 全新原装
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FQP5N90的图片

描述:

   这些N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术已经被特别定制,以减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住脉冲高能量雪崩和减刑模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源。

特点

  •5.4A,为900V,电阻RDS(on)= 2.3Ω@ VGS电压= 10 V的•低栅极电荷(典型31北卡罗来纳州)•低Crss(13 pF的典型)•快速切换•100%雪崩测试•改进的dv / dt的能力

深圳市安芯达电子有限公司

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