FQP5N90产品信息 | |
FAIRCHILD 品牌系列产品 |
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描述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术已经被特别定制,以减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住脉冲高能量雪崩和减刑模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源。
特点
•5.4A,为900V,电阻RDS(on)= 2.3Ω@ VGS电压= 10 V的•低栅极电荷(典型31北卡罗来纳州)•低Crss(13 pF的典型)•快速切换•100%雪崩测试•改进的dv / dt的能力
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