特点：
浮动电压高达1200V ¡低静态电源电流¡独立汇和源电流输出高达± 1A条（典型值）¡有源钳位米勒效应的NMOS和吸收电流高达- 1A条（典型值）¡ ¡在输入噪声滤波器电流检测和侧欠压锁定输出关断¡ ¡高级引脚，可以输入和输出故障信号commu - nicate与控制器和同步分阶段关闭了与其他¡无铅¡ 24引脚SSOP封装描述M81019FP高电压功率MOSFET和IGBT栅极驱动桥应用的一半。
电路应用
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特点：
浮动电压高达1200V ¡低静态电源电流¡独立汇和源电流输出高达± 1A条（典型值）¡有源钳位米勒效应的NMOS和吸收电流高达- 1A条（典型值）¡ ¡在输入噪声滤波器电流检测和侧欠压锁定输出关断¡ ¡高级引脚，可以输入和输出故障信号commu - nicate与控制器和同步分阶段关闭了与其他¡无铅¡ 24引脚SSOP封装描述M81019FP高电压功率MOSFET和IGBT栅极驱动桥应用的一半。
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