| MJD44H11G产品信息 | |
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ON 品牌系列产品 |
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MJD44H11G特点
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:20mW
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:60
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:MJD44H11
功耗:1.75W
外宽:6.73mm
外部深度:10.28mm
外部长度/高度:2.38mm
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:20mW
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:60
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:MJD44H11
功耗:1.75W
外宽:6.73mm
外部深度:10.28mm
外部长度/高度:2.38mm
封装类型:D-PAK
应用代码:PGP
总功率, Ptot:20W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:10V dc
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
应用代码:PGP
总功率, Ptot:20W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:10V dc
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
深圳市安芯达电子有限公司
销售热线: 0755-83278427 83614893
Q Q: 632772330 
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