| FU220N产品信息 | |
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IR 品牌系列产品 | |
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 2.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 2.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 25V
功率 - 最大：43W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：I-Pak
其它名称：*IRFU220NPBF
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 25V
功率 - 最大：43W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：I-Pak
其它名称：*IRFU220NPBF
IRFU220NPBF 封装
销售热线: 0755-83278427 83614893
Q Q: 632772330 
有关更多资料登陆：http://www.anxida.com
