SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT单管介绍:
●NPT-IGBT 芯片技术
●比上一代降低30％的Eoff，
●短路承受时间- 10 us
●参数离散性小，易于批量生产
●参数离散性小，易于批量生产
●开关速度快，高频特性好
●正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性
●可替代许多MOSFET应用领域
●拖尾电流小且随温度增加不明显增加，高温特性优异
●无锁定效应，过载能力强，可靠性高
●无铅电镀引脚;符合RoHS标准
●根据JEDEC1合格为目标
●根据JEDEC1合格为目标
SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT单管参数说明：
|
Type |
VCE |
IC |
Eoff) |
Tj |
Package |
Marking |
|
SKW20N60HS |
600V |
20 |
240μJ |
150℃ |
PG-TO-247-3 |
K20N60HS |
SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT单管 引脚说明：
