描述
    RA60H1317M1A-101是一个60瓦的射频MOSFET放大器模块为12.5伏在400移动无线电 - 470 - MHz的范围内。电池可以直接连接到的漏增强型MOSFET晶体管。没有门
电压（VGG= 0V），只有一个小到漏电流流过流失和额定输出信号（POUT= 60W）的衰减60分贝。输出功率和漏电流增加栅极电压的增加。输出功率和漏电流大幅增加，与周围0V栅极电压（最小）。额定输出功率变为可用的状态VGG是4V（典型值）和5V（最大）。在VGG = 5V，典型栅极电流5mA.This模块非线性调频调制，但也可用于通过设置与漏极静态电流的线性调制栅极电压和控制输出功率与输入权力。

特点
•增强型MOSFET晶体管
（国际直拨电话≅0@ VDD=12.5V，VGG =0V）
•功率输出60W，ηT>40％，VDD =12.5V，VGG = 5V，引脚=50MW
•宽带频率范围：400-470MHZ
•金属屏蔽结构，使寄生的改进
辐射简单
•低功率控制电流IGG=5毫安（典型值）@ VGG = 5V
•模块尺寸：67× 18 ×9.9毫米
•线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压控制输出功率
输入功率。

RA60H1317M1A-101管脚图