DS1225Y-150+ DS1225Y-150IND
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DS1225Y-150+ DS1225Y-150IND

来源: | 发表于:2012年04月25日

DS1225Y-150产品信息

DAL 品牌系列产品
DS1225Y-150 批号 12+
DS1225Y-150 数量 4292
DS1225Y-150 封装 DIP/SOP
DS1225Y-150 包装
DS1225Y-150 备注 ORIGINAL& IN STOCK
DS1225Y-150 询价-热线电话:0755-83278427 83614893 15338790961

DS1225Y-150 的图片

描述

    DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

 

关键特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 150ns的读写时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
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