DS1250Y-70IND 数据资料管脚图

来源： | 发表于：2012年04月29日

概述

DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

无外部电源时最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% V_CC工作范围(DS1250Y)
可选择的±5% V_CC工作范围(DS1250AB)
可选的工业级温度范围：-40°C至+85°C，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
- 本产品包含金属锂电池。参见含电池设备的运输要求使用标准。通过美国保险商实验室协会(UL)认证

图表

引脚分配

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