特征
•不扩散核武器条约沟槽技术，正温度系数
•低饱和电压：蒸气云爆炸（星期六） ，典型值= 2.0V
@的IC = 25A条和TC = 25 ° C时
•低开关损耗： Eoff ，典型值= 0.96mJ
@的IC = 25A条和TC = 25 ° C时
•极雪崩能力增强
•不扩散核武器条约沟槽技术，正温度系数
•低饱和电压：蒸气云爆炸（星期六） ，典型值= 2.0V
@的IC = 25A条和TC = 25 ° C时
•低开关损耗： Eoff ，典型值= 0.96mJ
@的IC = 25A条和TC = 25 ° C时
•极雪崩能力增强
描述
利用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的不扩散核武器条约
技术，不扩散条约的1200V的IGBT提供优良的传导
和开关性能，耐用性和高雪崩
易于并行运作。
该器件非常适合共振或软开关
应用程序，如感应加热，微波炉等
利用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的不扩散核武器条约
技术，不扩散条约的1200V的IGBT提供优良的传导
和开关性能，耐用性和高雪崩
易于并行运作。
该器件非常适合共振或软开关
应用程序，如感应加热，微波炉等
FGA25N120 图片
