- 品牌/型号:仙童/G40N60UFD
- 材料:IGBT绝缘栅比极
- 开启电压:600(V)
- 夹断电压:600(V)
- 跨导:10(μS)
- 极间电容:50(pF)
- 沟道类型:P沟道
- 导电方式:耗尽型
- 种类:绝缘栅MOSFET
- 用途:D/变频换流
- 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
- ★特性:600V UF系列单管,具有高输入阻抗,低饱和电压 VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 80A,高速开关的特性,更适用于UPS,逆变电源,开关电源,PFC等电路。 ★本公司主要产品:IGBT单管,IGBT模块,可控硅,场效应(MOS)管,快恢复二极管,电源IC,光耦等,是专业的高性价比电子元件供应商。专向电焊机,焊接设备,开关电源,变频器,控制器,逆变器,照明,工防等行业。