| FQL40N50产品信息 | |
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Fairchild 品牌系列产品 一般说明 这些N沟道增强模式功率场效应 晶体管是采用飞兆半导体专有的， 平面条形， DMOS技术。 这一先进技术已被特别适合 最大限度地减少通态电阻，提供卓越的开关 性能和承受高能量的脉冲 雪崩和减刑模式。这些器件以及 适合高效率开关模式电源，电源 因数校正，电机驱动和焊接设备。 | |
特征
•第四十A ， 500V ，的RDS （ on ） = 0.11Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值155北卡罗来纳州）
•低顾客订位系统（典型值95电容）
•快速开关
• 100 ％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
•第四十A ， 500V ，的RDS （ on ） = 0.11Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值155北卡罗来纳州）
•低顾客订位系统（典型值95电容）
•快速开关
• 100 ％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
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传真：0755-83612291
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