砷化镓（GaAs）霍尔器件

来源： | 发表于：2010年12月29日

砷化镓（GaAs）霍尔器件是一种电磁转换的磁敏器件，广泛用于电子、汽车、测量等众多领域，是半导体磁传感器中最成熟、产量最大的产品。但国内尚无企业能生产该产品。随着无刷电机、汽车电子、计算机、信息家电等产业的发展，对霍尔器件的需求大幅度增加。砷化镓霍尔器件具有温度特性优良、输出电压线性好、输入阻抗高、低失调率、V0时漂小等优点。

砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。