三菱电机的最新开发的Smart-1系列IGBT模块，采用第6代CSTBTTM硅片技术和自动压接装配技术。模块的饱和压降低，功率损耗低，且硅片结温可高达175°C，硅片运行温度最高可达150 °C。
Smart-1系列IGBT模块主要应用于工业变频电机驱动和伺服驱动，已开发出的模块电路拓扑有两种，一种是整流逆变制动的CIB（Converter Inverter Brake），另一种是6合1模块。其中，CIB模块的电流/电压等级有15A~35A/1200V，6合1模块的电流/电压等级有25A~50A/1200V。
