该系列芯片采用了多项自主知识产权技术，如交错式频率抖动技术，峰值电流补偿技术等。其中交错式频率抖动专利技术可以使得芯片振荡频率不断变化，以减小芯片在某个单一频率的对外辐射，并使振荡频率在一个很小的范围内变动，从而可以有效地降低EMI，简化EMI设计。峰值电流补偿专利技术可以为芯片提供极限峰值电流平衡，此技术还可以在电路初始化后有效地减小芯片启动时变压器的应力。
此外，该系列芯片可以根据输出的负荷情况，调节开关频率(20~100KHz)和峰值电流，轻负载的降频模式和峰值电流控制功能可以为芯片提供更高的效率。在待机模式下，芯片进入打嗝模式，从而有效地降低芯片的待机功耗。此外，芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定，过压保护，过载保护，过温保护和脉冲前沿消隐功能。在芯片发生保护以后，芯片可以不断自动重启，直到系统正常为止。
相比于SD686X系列，SDH682X系列芯片进行了以下升级：
1.内置高压启动电路，待机功耗更低;
2.外置电阻控制输入电压正常工作范围;
3.内置斜坡补偿电路，适应更宽的变压器设置;
4.工作电压范围更宽(8~26V)，进一步方便客户设计;
5.过载保护功耗更低;
6.优化了启动特性，提高电路可靠性。
SDH682X系列芯片基于士兰微电子自主研发的600V高压BCD工艺制造，采用了DIP-8的封装形式，并内置了500V高压启动电路和650V高压功率MOS系列晶体管，因此，SDH682X系列产品具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。相对于采用分立的控制芯片和功率MOSFET的应用方案来说，不仅降低了综合成本，而且大幅度提高了芯片的可靠性。
