IKW50N60T(K50T60)电路图|PDF资料
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IKW50N60T(K50T60)电路图|PDF资料

来源: | 发表于:2010年06月18日

特点:

    低损耗DuoPack:技术在海沟和场终止IGBT的软,恢复快反并联EmCon何二极管•非常低Vce(sat)1.5伏特(典型值)•最高结温175℃•短路承受时间- 5μs•设计为: -频率转换器-不间断电源•沟槽场终止技术和600 V应用提供: -参数分布非常紧凑-高耐用性,温度稳定的行为-非常高开关速度-低Vce(sat)•正温度系数的VCE(坐在)•低EMI•低门电荷•非常柔软,快速恢复反并联EmCon何二极管Ğ ç é的P -的TO - 247 - 3 - 1(- 220AC)的。
 
 
                                                  IKW50N60T参数
 
 
 
IKW50N60T 图片
 
 
 
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