IGBT 栅极驱动电压Uge
1/ 理论上Uge≥Uge(th)，IGBT即可开通；
一般情况下Uge(th)＝5～6V
2/ 当Uge增加时，通态压降减小，通态损耗减小；
但IGBT承受短路电流能力减小；
当Uge太大时，可能引起栅极电压振荡，损坏栅极
3/ 当Uge减小时，通态压降增加，通态损耗增加；
但IGBT承受短路电流能力提高
4/ 为获得通态压降最小，同时 IGBT 又具有较好的承受短路
电流能力，
通常选取Uge≥D*Uge(th)，系数D＝1.5、2、2.5、3
5/ 当Uge(th)为6V，系数D分别为1.5、2、2.5、3时，
Uge则分别为9V、12V、15V、18V；
一般，栅极驱动电压Uge折中取12V～15V为宜，12V最佳
6/ IGBT 关断时，栅极加负偏压，提高抗干挠能力，
提高承受dv/dt能力，栅极负偏压一般为－10V
栅极电阻Rg
1/ 当 Rg 增大时，可抑制栅极脉冲前后沿陡度和防止振荡，
减小开关di/dt，减小IGBT集电极尖峰电压；
但当Rg增大时，IGBT开关时间延长，开关损耗加大
2/ 当Rg减小时，减小IGBT开关时间，减小开关损耗；
但当 Rg 太小时，可导致 ge 之间振荡，IGBT 集电极 di/dt
增加，引起IGBT集电极尖峰电压，使IGBT损坏
3/ 应根据IGBT电流容量和电压额定值以及开关频率选取Rg值，
如10Ω、15Ω、27Ω等
4/ 建议ge之间并联一数值为10KΩ左右的Rge
