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来源：www.anxida.com | 发表于：2009年03月09日

DS1E-M-DC12V产品信息
NAIS 品牌系列产品 DS1E-M-DC12V 批号 08+ DS1E-M-DC12V 数量 3000 DS1E-M-DC12V 封装继电器 DS1E-M-DC12V 包装 DS1E-M-DC12V 备注房间现货,松下继电器专营 DS1E-M-DC12V.PDF

特征
•高灵敏度： 200兆瓦上升动力
100毫瓦回升权力种类
•锁定种类
•高交换容量： 60钨125伏安
•高击穿电压： 1500 V催化裂化激增公开接触之间
1,000 V交流接触之间开放
•插件DIP - 1C号型可用于14引脚的IC插座
2C型可用于16引脚的IC插座，
4C条型可用于2台14引脚的IC插座
•黄金股银钯类型可供2表格C型
•岔接触标准

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